transistor de canal P SI4435DDY, SO8
Cantidad
Precio unitario
1-4
1.53€
5-9
0.95€
10-19
0.81€
20-49
0.73€
50+
0.67€
| Cantidad en inventario: 15 |
Transistor de canal P SI4435DDY, SO8. Vivienda: SO8. Cargar: 50nC. Corriente de drenaje: -6.5A, -8.1A. Montaje/instalación: SMD. Polaridad: unipolares. Potencia: 5W. RoHS: sí. Tipo de transistor: P-MOSFET. Voltaje de fuente de drenaje: -30V. Voltaje de fuente de puerta: ±20V. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 23:15
SI4435DDY
11 parámetros
Vivienda
SO8
Cargar
50nC
Corriente de drenaje
-6.5A, -8.1A
Montaje/instalación
SMD
Polaridad
unipolares
Potencia
5W
RoHS
sí
Tipo de transistor
P-MOSFET
Voltaje de fuente de drenaje
-30V
Voltaje de fuente de puerta
±20V
Producto original del fabricante
Vishay