Transistor de canal P SI4435DY, 8.8A, 8.8A, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 8.8A. Idss (máx.): 8.8A. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Cantidad por caja: 1. Función: Transistor MOSFET de canal P. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.5W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.015 Ohms. Tecnología: D-S-MOSFET. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:30