Transistor de canal P SI4925BDY, 7.1A, 7.1A, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 7.1A. Idss (máx.): 7.1A. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Cantidad por caja: 2. DI (T=100°C): 5.7A. Diodo Trr (Mín.): 60 ns. IDss (mín.): 1uA. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 1uA. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia en encendido Rds activado: 0.02 Ohms. RoHS: sí. Tecnología: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Tipo de canal: P. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 09:07