Transistor de canal P SI4948BEY-T1-GE3, SO8, MS-012, 60V. Vivienda: SO8. Vivienda (norma JEDEC): MS-012. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: 60V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 800pF. Configuración: componente montado en superficie (SMD). Disipación máxima Ptot [W]: 2.4W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ -3.1A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: 3.1A. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Marcado del fabricante: SI4948BEY-T1-GE3. Número de terminales: 8:1. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 75 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 15 ns. Producto original del fabricante: Vishay (siliconix). Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:38