Transistor de canal P SI9407BDY, 4.7A, 10nA, SO, SO-8, 60V. DI (T=25°C): 4.7A. Idss (máx.): 10nA. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 600pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 70pF. DI (T=100°C): 3.8A. Diodo Trr (Mín.): 30 ns. IDss (mín.): 1nA. Identificación (diablillo): 30A. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 3.2W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Resistencia en encendido Rds activado: 0.10 Ohms. RoHS: sí. Td(apagado): 35 ns. Td(encendido): 10 ns. Tecnología: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 1V. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:30