Transistor de canal P SPP08P06P, 8.8A, 1uA, TO-220, PG-TO220-3, 60V. DI (T=25°C): 8.8A. Idss (máx.): 1uA. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): PG-TO220-3. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 335pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 105pF. DI (T=100°C): 6.2A. Diodo Trr (Mín.): 60 ns. Función: Enhancement mode, avalanche rated, dv/dt rated. IDss (mín.): 0.1uA. Identificación (diablillo): 32.5A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Pd (disipación de potencia, máx.): 42W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. Resistencia en encendido Rds activado: 0.23 Ohms. RoHS: sí. Td(apagado): 48 ns. Td(encendido): 16 ns. Tecnología: SIPMOS Power-Transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2.1V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 05:54