Transistor de canal P SPP18P06P, 18.7A, 10uA, TO-220, TO-220, 60V. DI (T=25°C): 18.7A. Idss (máx.): 10uA. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Voltaje Vds(máx.): 60V. C(pulg): 230pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 95pF. DI (T=100°C): 13.2A. Diodo Trr (Mín.): 70 ns. Función: Modo de mejora nominal dv/dt. IDss (mín.): 0.1uA. Identificación (diablillo): 74.8A. Marcado en la caja: 18P06P. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 81W. Protección G-S: diodo. Protección de la fuente de drenaje: diodo. Resistencia en encendido Rds activado: 0.102 Ohms. Td(apagado): 25 ns. Td(encendido): 12 ns. Tecnología: SIPMOS Power-Transistor. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 2.7V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 05:54