Transistor de canal P STP80PF55, 80A, 80A, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 80A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Voltaje Vds(máx.): 55V. C(pulg): 5500pF. Cantidad por caja: 1. Costo): 1130pF. DI (T=100°C): 57A. Diodo Trr (Mín.): 110 ns. Función: -. Identificación (diablillo): 320A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 300W. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: diodo Zener. Resistencia en encendido Rds activado: 0.016 Ohms. RoHS: sí. Td(apagado): 165 ns. Td(encendido): 35 ns. Tecnología: STripFETTM II Power MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 16V. Tipo de canal: P. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) mín.: 2V. Producto original del fabricante: Sgs Thomson. Cantidad en stock actualizada el 31/10/2025, 08:58