transistor de canal P SUP53P06-20, TO-220AB, -60V

transistor de canal P SUP53P06-20, TO-220AB, -60V

Cantidad
Precio unitario
1-9
4.88€
10+
4.06€
Cantidad en inventario: 121

Transistor de canal P SUP53P06-20, TO-220AB, -60V. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): -. Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]: -60V. Capacitancia de puerta Ciss [pF]: 3500pF. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Disipación máxima Ptot [W]: 104W. Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0195 Ohms @ -30A. Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C: -53A. Familia de componentes: MOSFET, P-MOS. Marcado del fabricante: SUP53P06-20. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 110 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: -3V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 15 ns. Producto original del fabricante: Vishay. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:24

Documentación técnica (PDF)
SUP53P06-20
16 parámetros
Vivienda
TO-220AB
Voltaje de la fuente de drenaje Uds [V]
-60V
Capacitancia de puerta Ciss [pF]
3500pF
Configuración
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Disipación máxima Ptot [W]
104W
Drena la corriente a través de la resistencia Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.0195 Ohms @ -30A
Drene la ID de corriente (a) @ 25 ° C
-53A
Familia de componentes
MOSFET, P-MOS
Marcado del fabricante
SUP53P06-20
Número de terminales
3
Retardo de desconexión tf[nseg.]
110 ns
RoHS
Temperatura máxima
+150°C.
Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]
-3V
Tiempo de encendido ton [nseg.]
15 ns
Producto original del fabricante
Vishay