Transistor IGBT FGA40N65SMD-DIóDA. Collector Peak Current IP [A]: 60.4k Ohms. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente del colector Ic [A]: 40A. Disipación máxima Ptot [W]: 174W. Familia de componentes: transistor IGBT con diodo de rueda libre de alta velocidad incorporado. Marcado del fabricante: FGA40N65SMD. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 120ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión colector-emisor Uce [V]: 650V. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 16 ns. Vivienda (norma JEDEC): -. Vivienda: TO-3PN. Producto original del fabricante: Onsemi. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:39