Transistores IGBT

Transistor IGBT. RoHS: NINCS. Familia de componentes: transistor IGBT. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-218. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: BUP313. Tensión colector-emisor Uce [V]: 1.2 kV. Corriente del colector Ic [A]: 32A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 100 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 530 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6.5V. Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Corriente máxima del colector (A): 64A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor IGBT. Tipo de transistor: transistor IGBT. Tensión colector-emisor: 1200V. Corriente del colector: 25A. Vivienda: TO-3P

Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT con diodo de rueda libre de alta velocidad incorporado. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3PN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: FGA40N65SMD. Tensión colector-emisor Uce [V]: 650V. Corriente del colector Ic [A]: 40A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 16 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 120ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6V. Disipación máxima Ptot [W]: 174W. Corriente máxima del colector (A): 60.4k Ohms. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT con diodo de rueda libre de alta velocidad incorporado. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-264. Vivienda (norma JEDEC): tubo de plástico. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: FGL40N120AND. Tensión colector-emisor Uce [V]: 1.2 kV. Corriente del colector Ic [A]: 40A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 15 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 110 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5.5V. Disipación máxima Ptot [W]: 500W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 110 ns. Td(encendido): 20 ns. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264-3L. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.9V...3.15V. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. Tensión puerta/emisor VGE: 25V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 7.5V. Corriente máxima del colector (A): 160A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 12N60A4. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Corriente del colector Ic [A]: 54A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 17 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 110 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5.6V. Disipación máxima Ptot [W]: 167W. Corriente máxima del colector (A): 96A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 20N60A4. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Corriente del colector Ic [A]: 70A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 15 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 73 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 7V. Disipación máxima Ptot [W]: 290W. Corriente máxima del colector (A): 280A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT con diodo de rueda libre de alta velocidad incorporado. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247. Vivienda (norma JEDEC): 35 ns. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 20N60A4D. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Corriente del colector Ic [A]: 70A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 15 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 73 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 7V. Disipación máxima Ptot [W]: 290W. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.8V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.7V. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 7V. Corriente máxima del colector (A): 280A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247. Vivienda (norma JEDEC): UFS Series IGBT. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: HG20N60B3. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Corriente del colector Ic [A]: 40A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 25 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 220 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6V. Disipación máxima Ptot [W]: 165W. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.8V. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 5V. Corriente máxima del colector (A): 160A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: G03H1202. Tensión colector-emisor Uce [V]: 1.2 kV. Corriente del colector Ic [A]: 3A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 9.2 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 281 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3.9V. Disipación máxima Ptot [W]: 62.5W. Corriente máxima del colector (A): 9.9A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor IGBT. Tipo de transistor: transistor IGBT. Voltaje de fuente de drenaje: 1200V. Corriente del colector: 50A. Potencia: 326W. Vivienda: TO-247AC

Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AC. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: G60T120. Tensión colector-emisor Uce [V]: 1.2 kV. Corriente del colector Ic [A]: 60A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 50 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 480 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6.5V. Disipación máxima Ptot [W]: 375W. Corriente máxima del colector (A): 150A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.9V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.4V. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.5V. Vivienda (norma JEDEC): NINCS

Transistor IGBT. C(pulg): 1800pF. Costo): 55pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Corriente del colector: 60A. Ic (pulso): 90A. Ic(T=100°C): 30A. Marcado en la caja: H30MR5. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 330W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 330 ns. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): PG-TO247-3. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.55V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.85V. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 5.1V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.4V. Función: Cocina Inductiva, Hornos Microondas. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Diodo CE: sí. Diodo de germanio: NINCS

Transistor IGBT. Tipo de transistor: transistor IGBT. Tensión colector-emisor: 600V. Corriente del colector: 40A. Potencia: 305W. Vivienda: TO-247AC

Transistor IGBT. Tipo de transistor: transistor IGBT. Tensión colector-emisor: 600V. Corriente del colector: 24A. Potencia: 110W. Vivienda: TO-220AB

Transistor IGBT. Tipo de transistor: transistor IGBT. Voltaje de fuente de drenaje: 1200V. Corriente del colector: 50A. Potencia: 326W. Vivienda: TO-247AC. Diodo incorporado: sí

Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT con diodo de rueda libre de alta velocidad incorporado. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: K25T1202. Tensión colector-emisor Uce [V]: 1.2 kV. Corriente del colector Ic [A]: 25A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 27 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 265 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6.4V. Disipación máxima Ptot [W]: 349W. Corriente máxima del colector (A): 100A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor IGBT. Tipo de transistor: transistor IGBT. Tensión colector-emisor: 1200V. Corriente del colector: 82A. Potencia: 428W. Vivienda: TO-247AC. Diodo incorporado: sí

Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT con diodo de rueda libre de alta velocidad incorporado. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRG4BC20FD. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Corriente del colector Ic [A]: 16A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 43 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 240 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6V. Disipación máxima Ptot [W]: 60W. Corriente máxima del colector (A): 64A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT con diodo de rueda libre de alta velocidad incorporado. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRG4BC20KD. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Corriente del colector Ic [A]: 16A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 54 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 180 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6V. Disipación máxima Ptot [W]: 60W. Td(apagado): 180 ns. Td(encendido): 54 ns. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220 ( AB ). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.27V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.8V. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V. Corriente máxima del colector (A): 32A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: NINCS. Familia de componentes: transistor IGBT. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRG4BC20S. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Corriente del colector Ic [A]: 19A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 27 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 540 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6V. Disipación máxima Ptot [W]: 60W. Corriente máxima del colector (A): 38A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRG4BC20S. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Corriente del colector Ic [A]: 10A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 27 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 540 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6V. Disipación máxima Ptot [W]: 60W. Corriente máxima del colector (A): 38A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT con diodo de rueda libre de alta velocidad incorporado. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRG4BC20UD. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Corriente del colector Ic [A]: 13A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 39 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 93 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6V. Disipación máxima Ptot [W]: 60W. Corriente máxima del colector (A): 52A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRG4BC20U. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Corriente del colector Ic [A]: 13A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 21 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 86 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6V. Disipación máxima Ptot [W]: 60W. Corriente máxima del colector (A): 52A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT con diodo de rueda libre de alta velocidad incorporado. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRG4BC30FD. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Corriente del colector Ic [A]: 31A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 42 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 230 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6V. Disipación máxima Ptot [W]: 100W. Corriente máxima del colector (A): 60.4k Ohms. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C

Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT con diodo de rueda libre de alta velocidad incorporado. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRG4BC30KD. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Corriente del colector Ic [A]: 28A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 60 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 160 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6V. Disipación máxima Ptot [W]: 100W. Corriente máxima del colector (A): 56A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C