Transistor IGBT FGL40N120ANDTU

Transistor IGBT FGL40N120ANDTU. Transistor IGBT. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 110 ns. Td(encendido): 20 ns. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264-3L. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.9V...3.15V. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. Tensión puerta/emisor VGE: 25V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 7.5V. C(pulg): 3200pF. Costo): 370pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Diodo Trr (Mín.): 75 ns. Función: UPS, controles de motores AC/DC e inversores de uso general. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 64A. Ic (pulso): 160A. Ic(T=100°C): 40A. Marcado en la caja: FGL40N120AND. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 500W. Spec info: NPT-Trench IGBT. Producto original del fabricante ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 04/09/2025, 04:56.