Transistor IGBT FGL40N120ANDTU

Transistor IGBT FGL40N120ANDTU. Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT con diodo de rueda libre de alta velocidad incorporado. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-264. Vivienda (norma JEDEC): tubo de plástico. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: FGL40N120AND. Tensión colector-emisor Uce [V]: 1.2 kV. Corriente del colector Ic [A]: 40A. Corriente máxima del colector (A): 160A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 15 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 110 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5.5V. Disipación máxima Ptot [W]: 500W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 110 ns. Td(encendido): 20 ns. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264-3L. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.9V...3.15V. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. Tensión puerta/emisor VGE: 25V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 7.5V. Producto original del fabricante ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 13/05/2025, 15:25.