Transistor IGBT HGTG20N60B3
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Transistor IGBT HGTG20N60B3. Acondicionamiento: tubo de plástico. Collector Peak Current IP [A]: 160A. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente del colector Ic [A]: 40A. Corriente del colector: 40A. Diodo CE: no. Diodo de germanio: no. Disipación máxima Ptot [W]: 165W. Familia de componentes: transistor IGBT. Función: UFS Series IGBT. Ic (pulso): 160A. Ic(T=100°C): 20A. Marcado del fabricante: HG20N60B3. Marcado en la caja: HG20N60B3. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 165W. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 220 ns. RoHS: sí. Spec info: Tiempo de caída típico 140 ns a 150 °C. Td(apagado): 220 ns. Td(encendido): 25 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.8V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 5V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 25 ns. Tipo de canal: N. Unidad de acondicionamiento: 30. Vivienda (norma JEDEC): -. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Vivienda: TO-247. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 20:19