Transistor IGBT IGP03N120H2

Transistor IGBT IGP03N120H2

Cantidad
Precio unitario
1-49
4.11€
50+
2.98€
Cantidad en inventario: 71

Transistor IGBT IGP03N120H2. Collector Peak Current IP [A]: 9.9A. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente del colector Ic [A]: 3A. Disipación máxima Ptot [W]: 62.5W. Familia de componentes: transistor IGBT. Marcado del fabricante: G03H1202. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 281 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión colector-emisor Uce [V]: 1.2 kV. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 3.9V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 9.2 ns. Vivienda (norma JEDEC): -. Vivienda: TO-220AB. Producto original del fabricante: Infineon. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:16

Documentación técnica (PDF)
IGP03N120H2
15 parámetros
Collector Peak Current IP [A]
9.9A
Configuración
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Corriente del colector Ic [A]
3A
Disipación máxima Ptot [W]
62.5W
Familia de componentes
transistor IGBT
Marcado del fabricante
G03H1202
Número de terminales
3
Retardo de desconexión tf[nseg.]
281 ns
RoHS
Temperatura máxima
+150°C.
Tensión colector-emisor Uce [V]
1.2 kV
Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]
3.9V
Tiempo de encendido ton [nseg.]
9.2 ns
Vivienda
TO-220AB
Producto original del fabricante
Infineon