Transistor IGBT IGW60T120. C(pulg): 3700pF. Collector Peak Current IP [A]: 150A. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente del colector Ic [A]: 60A. Corriente del colector: 100A. Costo): 180pF. Diodo CE: no. Diodo de germanio: no. Disipación máxima Ptot [W]: 375W. Familia de componentes: transistor IGBT. Ic (pulso): 150A. Ic(T=100°C): 60A. Marcado del fabricante: G60T120. Marcado en la caja: G60T120. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 375W. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 480 ns. RoHS: sí. Td(apagado): 480 ns. Td(encendido): 50 ns. Temperatura de funcionamiento: -40...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión colector-emisor Uce [V]: 1.2 kV. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6.5V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.9V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.4V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.5V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 50 ns. Tipo de canal: N. Vivienda (norma JEDEC): -. Vivienda (según ficha técnica): PG-TO-247-3. Vivienda: TO-247. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 01:35