Transistor IGBT IGW60T120

Transistor IGBT IGW60T120. Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AC. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: G60T120. Tensión colector-emisor Uce [V]: 1.2 kV. Corriente del colector Ic [A]: 60A. Corriente máxima del colector (A): 150A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 50 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 480 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6.5V. Disipación máxima Ptot [W]: 375W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Vivienda (norma JEDEC): NINCS. Tensión de saturación VCE(sat): 1.9V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.4V. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.5V. Producto original del fabricante Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 07/06/2025, 16:25.