Transistor IGBT IHW30N120R5XKSA1

Transistor IGBT IHW30N120R5XKSA1. Transistor IGBT. C(pulg): 1800pF. Costo): 55pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Función: Cocina Inductiva, Hornos Microondas. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 60A. Ic (pulso): 90A. Ic(T=100°C): 30A. Marcado en la caja: H30MR5. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 330W. RoHS: sí. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 330 ns. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): PG-TO247-3. Temperatura de funcionamiento: -40...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.55V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.85V. Tensión colector/emisor Vceo: 1200V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 5.1V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.4V. Producto original del fabricante Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 07/06/2025, 17:25.