Transistor IGBT IKW25N120H3FKSA1
Cantidad
Precio unitario
1-1
13.42€
2-3
12.04€
4-5
10.98€
6-29
9.95€
30+
9.91€
| Cantidad en inventario: 7 |
Transistor IGBT IKW25N120H3FKSA1. Corriente del colector: 50A. Diodo incorporado: sí. Potencia: 326W. Tipo de transistor: transistor IGBT. Vivienda: TO-247AC. Voltaje de fuente de drenaje: 1200V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 14/02/2026, 04:51
IKW25N120H3FKSA1
7 parámetros
Corriente del colector
50A
Diodo incorporado
sí
Potencia
326W
Tipo de transistor
transistor IGBT
Vivienda
TO-247AC
Voltaje de fuente de drenaje
1200V
Producto original del fabricante
Infineon Technologies