Transistor IGBT IKW25N120H3FKSA1

Cantidad

Precio unitario

1-1

13.39€

2-3

12.01€

4-5

10.95€

6-29

9.93€

30+

9.88€

Cantidad en inventario: 7

Transistor IGBT IKW25N120H3FKSA1. Corriente del colector: 50A. Diodo incorporado: sí. Potencia: 326W. Tipo de transistor: transistor IGBT. Vivienda: TO-247AC. Voltaje de fuente de drenaje: 1200V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 15:30

Documentación técnica (PDF)

IKW25N120H3FKSA1

7 parámetros

Corriente del colector

50A

Diodo incorporado

sí

Potencia

326W

Tipo de transistor

transistor IGBT

Vivienda

TO-247AC

Voltaje de fuente de drenaje

1200V

Producto original del fabricante

Infineon Technologies