Transistor IGBT IKW25N120T2

Transistor IGBT IKW25N120T2. Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT con diodo de rueda libre de alta velocidad incorporado. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: K25T1202. Tensión colector-emisor Uce [V]: 1.2 kV. Corriente del colector Ic [A]: 25A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 27 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 265 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6.4V. Disipación máxima Ptot [W]: 349W. Corriente máxima del colector (A): 100A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -40°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 01:25.