Transistor IGBT IKW25N120T2

Transistor IGBT IKW25N120T2

Cantidad
Precio unitario
1+
15.76€
Cantidad en inventario: 348

Transistor IGBT IKW25N120T2. Collector Peak Current IP [A]: 100A. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente del colector Ic [A]: 25A. Disipación máxima Ptot [W]: 349W. Familia de componentes: transistor IGBT con diodo de rueda libre de alta velocidad incorporado. Marcado del fabricante: K25T1202. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 265 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +175°C.. Tensión colector-emisor Uce [V]: 1.2 kV. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6.4V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 27 ns. Vivienda (norma JEDEC): -. Vivienda: TO-247. Producto original del fabricante: Infineon. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:39

Documentación técnica (PDF)
IKW25N120T2
15 parámetros
Collector Peak Current IP [A]
100A
Configuración
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Corriente del colector Ic [A]
25A
Disipación máxima Ptot [W]
349W
Familia de componentes
transistor IGBT con diodo de rueda libre de alta velocidad incorporado
Marcado del fabricante
K25T1202
Número de terminales
3
Retardo de desconexión tf[nseg.]
265 ns
RoHS
Temperatura máxima
+175°C.
Tensión colector-emisor Uce [V]
1.2 kV
Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]
6.4V
Tiempo de encendido ton [nseg.]
27 ns
Vivienda
TO-247
Producto original del fabricante
Infineon