Transistor IGBT IKW50N120CS7XKSA1
Cantidad
Precio unitario
1-4
26.94€
5-9
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Transistor IGBT IKW50N120CS7XKSA1. Cargar: 290nC. Collector Peak Current IP [A]: 150A. Corriente del colector Ic [A]: 50A. Corriente del colector: 82A. Diodo incorporado: sí. Emisor - voltaje de puerta: ±20V. Potencia: 428W. RoHS: sí. Tensión colector-emisor: 1200V. Tipo de transistor: transistor IGBT. Vivienda: TO-247AC. Voltaje (coleccionista - emisor): 1200V. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 22:16
IKW50N120CS7XKSA1
13 parámetros
Cargar
290nC
Collector Peak Current IP [A]
150A
Corriente del colector Ic [A]
50A
Corriente del colector
82A
Diodo incorporado
sí
Emisor - voltaje de puerta
±20V
Potencia
428W
RoHS
sí
Tensión colector-emisor
1200V
Tipo de transistor
transistor IGBT
Vivienda
TO-247AC
Voltaje (coleccionista - emisor)
1200V
Producto original del fabricante
Infineon Technologies