Transistor IGBT IRG4BC20KDPBF
| +42 piezas adicionales disponibles en stock remoto (suministro en 4 horas). ¡Contáctanos para consultar precios y disponibilidad! | |
| Producto obsoleto, próximamente será eliminado del catálogo.. Últimos artículos disponibles | |
| Cantidad en inventario: 5 |
Transistor IGBT IRG4BC20KDPBF. C(pulg): 450pF. Collector Peak Current IP [A]: 32A. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente del colector Ic [A]: 16A. Corriente del colector: 16A. Costo): 61pF. Diodo CE: sí. Diodo Trr (Mín.): 37 ns. Diodo de germanio: no. Disipación máxima Ptot [W]: 60W. Familia de componentes: transistor IGBT con diodo de rueda libre de alta velocidad incorporado. Función: IGBT ultrarrápido y con clasificación de cortocircuito. Ic (pulso): 32A. Ic(T=100°C): 9A. Marcado del fabricante: IRG4BC20KD. Marcado en la caja: G4BC20KD. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 100W. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 180 ns. RoHS: sí. Td(apagado): 180 ns. Td(encendido): 54 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6V. Tensión de saturación VCE(sat): 2.27V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.8V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 54 ns. Tipo de canal: N. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Vivienda (según ficha técnica): TO-220 ( AB ). Vivienda: TO-220. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 01:35