Transistor IGBT IRG4BC20KDPBF

Transistor IGBT IRG4BC20KDPBF. Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT con diodo de rueda libre de alta velocidad incorporado. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRG4BC20KD. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Corriente del colector Ic [A]: 16A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 54 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 180 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6V. Disipación máxima Ptot [W]: 60W. Td(apagado): 180 ns. Td(encendido): 54 ns. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220 ( AB ). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.27V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.8V. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V. Corriente máxima del colector (A): 32A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Cantidad en stock actualizada el 19/04/2025, 21:25.