Transistor IGBT IRG4BC30FDPBF

Transistor IGBT IRG4BC30FDPBF. Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT con diodo de rueda libre de alta velocidad incorporado. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-220AB. Vivienda (norma JEDEC): TO-220AB. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRG4BC30FD. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Corriente del colector Ic [A]: 31A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 42 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 230 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6V. Disipación máxima Ptot [W]: 100W. Corriente máxima del colector (A): 60.4k Ohms. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Cantidad en stock actualizada el 19/04/2025, 18:25.