Transistor IGBT IRG4PF50WPBF

Transistor IGBT IRG4PF50WPBF. Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AC. Vivienda (norma JEDEC): TO-247AC. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: IRG4PF50W. Tensión colector-emisor Uce [V]: 900V. Corriente del colector Ic [A]: 51A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 29 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 110 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6V. Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 110 ns. Td(encendido): 29 ns. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.25V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.7V. Tensión colector/emisor Vceo: 900V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V. Corriente máxima del colector (A): 204A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 01:25.