Transistor IGBT IRG4PF50WPBF. C(pulg): 3300pF. Collector Peak Current IP [A]: 204A. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente del colector Ic [A]: 51A. Corriente del colector: 51A. Costo): 200pF. Diodo CE: no. Diodo de germanio: no. Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Familia de componentes: transistor IGBT. Ic (pulso): 204A. Ic(T=100°C): 28A. Marcado del fabricante: IRG4PF50W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 110 ns. RoHS: sí. Td(apagado): 110 ns. Td(encendido): 29 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión colector-emisor Uce [V]: 900V. Tensión colector/emisor Vceo: 900V. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6V. Tensión de saturación VCE(sat): 2.25V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.7V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 29 ns. Tipo de canal: N. Vivienda (norma JEDEC): TO-247AC. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ). Vivienda: TO-247. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 01:35