Transistor IGBT IRGB14C40LPBF

Transistor IGBT IRGB14C40LPBF. Transistor IGBT. C(pulg): 825pF. Costo): 150pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 50. Diodo de germanio: sí. Corriente del colector: 20A. Ic(T=100°C): 14A. Nota: > 6KV ESD Gate Protection. Nota: Resistencias integradas R1 G (75 ohmios), R2 GE (20 k ohmios). Marcado en la caja: GB14C40L. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 208W. RoHS: sí. Spec info: IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 8.3 ns. Td(encendido): 1.35 ns. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220AB. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.2V. Tensión colector/emisor Vceo: 400V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 1.3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 2.2V. Producto original del fabricante International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 07/06/2025, 21:25.