Transistor IGBT IXGH39N60BD1

Transistor IGBT IXGH39N60BD1. Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT con diodo de rueda libre de alta velocidad incorporado. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AD. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 39N60BD1. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Corriente del colector Ic [A]: 76A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 25 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 500 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5V. Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Corriente máxima del colector (A): 152A. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 01:25.