Transistor IGBT IXGH39N60BD1

Transistor IGBT IXGH39N60BD1

Cantidad
Precio unitario
1+
27.72€
Cantidad en inventario: 13

Transistor IGBT IXGH39N60BD1. Collector Peak Current IP [A]: 152A. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente del colector Ic [A]: 76A. Disipación máxima Ptot [W]: 200W. Familia de componentes: transistor IGBT con diodo de rueda libre de alta velocidad incorporado. Marcado del fabricante: 39N60BD1. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 500 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 25 ns. Vivienda (norma JEDEC): -. Vivienda: TO-247AD. Producto original del fabricante: IXYS. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:16

Documentación técnica (PDF)
IXGH39N60BD1
15 parámetros
Collector Peak Current IP [A]
152A
Configuración
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Corriente del colector Ic [A]
76A
Disipación máxima Ptot [W]
200W
Familia de componentes
transistor IGBT con diodo de rueda libre de alta velocidad incorporado
Marcado del fabricante
39N60BD1
Número de terminales
3
Retardo de desconexión tf[nseg.]
500 ns
RoHS
Temperatura máxima
+150°C.
Tensión colector-emisor Uce [V]
600V
Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]
5V
Tiempo de encendido ton [nseg.]
25 ns
Vivienda
TO-247AD
Producto original del fabricante
IXYS