Transistor IGBT IXXK200N65B4

Transistor IGBT IXXK200N65B4. Transistor IGBT. C(pulg): 760pF. Costo): 220pF. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Función: Extreme Light Punch Through, IGBT for 10-30kHz Switching. Corriente del colector: 480A. Ic (pulso): 1200A. Ic(T=100°C): 200A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1630W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 226 ns. Td(encendido): 45 ns. Tecnología: XPT™ 900V IGBT, GenX4™. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.5V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.7V. Tensión colector/emisor Vceo: 650V. Tensión puerta/emisor VGE: VGES 20V, VGEM 30V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4 v. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.5V. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms, 1200A. Diodo CE: NINCS. Diodo de germanio: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 01:25.