Transistor IGBT IXYK140N90C3

Transistor IGBT IXYK140N90C3. Transistor IGBT. C(pulg): 9830pF. Costo): 570pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 25. Función: IGBT de alta velocidad para conmutación de 20-50 kHz. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 310A. Ic (pulso): 840A. Ic(T=100°C): 140A. Marcado en la caja: IXYK140N90C3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 1630W. RoHS: sí. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms, 840A. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 145 ns. Td(encendido): 40 ns. Tecnología: XPT™ 650V IGBT, GenX3™. Vivienda: TO-264 ( TOP-3L ). Vivienda (según ficha técnica): TO-264. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.15V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.7V. Tensión colector/emisor Vceo: 900V. Tensión puerta/emisor VGE: VGES 20V, VGEM 30V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5.5V. Producto original del fabricante IXYS. Cantidad en stock actualizada el 13/05/2025, 01:25.