Transistor IGBT SGH80N60UFDTU. Collector Peak Current IP [A]: 220A. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente del colector Ic [A]: 80A. Disipación máxima Ptot [W]: 195W. Familia de componentes: transistor IGBT con diodo de rueda libre de alta velocidad incorporado. Marcado del fabricante: SGH80N60UF. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 130 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6.5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 23 ns. Vivienda (norma JEDEC): -. Vivienda: TO-3PN. Producto original del fabricante: Onsemi (fairchild). Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:16