Transistor IGBT SGH80N60UFDTU

Transistor IGBT SGH80N60UFDTU. Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT con diodo de rueda libre de alta velocidad incorporado. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3PN. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: SGH80N60UF. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Corriente del colector Ic [A]: 80A. Corriente máxima del colector (A): 220A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 23 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 130 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 6.5V. Disipación máxima Ptot [W]: 195W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Producto original del fabricante Onsemi (fairchild). Cantidad en stock actualizada el 13/05/2025, 03:25.