Transistor IGBT SGP30N60HS
Cantidad
Precio unitario
1-49
5.84€
50+
4.57€
| Cantidad en inventario: 103 |
Transistor IGBT SGP30N60HS. Collector Peak Current IP [A]: 112A. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente del colector Ic [A]: 41A. Disipación máxima Ptot [W]: 250W. Familia de componentes: transistor IGBT. Marcado del fabricante: G30N60HS. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 122 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 16 ns. Vivienda (norma JEDEC): -. Vivienda: TO-220AB. Producto original del fabricante: Infineon. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:39
SGP30N60HS
15 parámetros
Collector Peak Current IP [A]
112A
Configuración
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Corriente del colector Ic [A]
41A
Disipación máxima Ptot [W]
250W
Familia de componentes
transistor IGBT
Marcado del fabricante
G30N60HS
Número de terminales
3
Retardo de desconexión tf[nseg.]
122 ns
RoHS
sí
Temperatura máxima
+150°C.
Tensión colector-emisor Uce [V]
600V
Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]
5V
Tiempo de encendido ton [nseg.]
16 ns
Vivienda
TO-220AB
Producto original del fabricante
Infineon