Transistor IGBT SGW25N120

Transistor IGBT SGW25N120

Cantidad
Precio unitario
1-9
23.22€
10+
19.35€
Cantidad en inventario: 51

Transistor IGBT SGW25N120. Collector Peak Current IP [A]: 84A. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente del colector Ic [A]: 46A. Disipación máxima Ptot [W]: 313W. Familia de componentes: transistor IGBT. Marcado del fabricante: SGW25N120. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 990 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión colector-emisor Uce [V]: 1.2 kV. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 60 ns. Vivienda (norma JEDEC): -. Vivienda: TO-247AC. Producto original del fabricante: Infineon. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:16

Documentación técnica (PDF)
SGW25N120
15 parámetros
Collector Peak Current IP [A]
84A
Configuración
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Corriente del colector Ic [A]
46A
Disipación máxima Ptot [W]
313W
Familia de componentes
transistor IGBT
Marcado del fabricante
SGW25N120
Número de terminales
3
Retardo de desconexión tf[nseg.]
990 ns
RoHS
Temperatura máxima
+150°C.
Tensión colector-emisor Uce [V]
1.2 kV
Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]
5V
Tiempo de encendido ton [nseg.]
60 ns
Vivienda
TO-247AC
Producto original del fabricante
Infineon