Transistor IGBT SGW30N60

Transistor IGBT SGW30N60. Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247AC. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: G30N60. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Corriente del colector Ic [A]: 41A. Corriente máxima del colector (A): 112A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 53 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 389 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5V. Disipación máxima Ptot [W]: 250W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Producto original del fabricante Infineon. Cantidad en stock actualizada el 14/05/2025, 19:25.