Transistor IGBT SGW30N60
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Transistor IGBT SGW30N60. Collector Peak Current IP [A]: 112A. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente del colector Ic [A]: 41A. Disipación máxima Ptot [W]: 250W. Familia de componentes: transistor IGBT. Marcado del fabricante: G30N60. Número de terminales: 3. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 389 ns. RoHS: sí. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 53 ns. Vivienda (norma JEDEC): -. Vivienda: TO-247AC. Producto original del fabricante: Infineon. Cantidad en stock actualizada el 12/11/2025, 21:16
SGW30N60
15 parámetros
Collector Peak Current IP [A]
112A
Configuración
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Corriente del colector Ic [A]
41A
Disipación máxima Ptot [W]
250W
Familia de componentes
transistor IGBT
Marcado del fabricante
G30N60
Número de terminales
3
Retardo de desconexión tf[nseg.]
389 ns
RoHS
sí
Temperatura máxima
+150°C.
Tensión colector-emisor Uce [V]
600V
Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]
5V
Tiempo de encendido ton [nseg.]
53 ns
Vivienda
TO-247AC
Producto original del fabricante
Infineon