Transistor IGBT SGW30N60HS. Acondicionamiento: tubo de plástico. C(pulg): 1500pF. Collector Peak Current IP [A]: 112A. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente del colector Ic [A]: 41A. Corriente del colector: 41A. Costo): 200pF. Diodo CE: no. Diodo de germanio: no. Disipación máxima Ptot [W]: 250W. Familia de componentes: transistor IGBT. Función: Conmutación de alta velocidad. Ic (pulso): 112A. Ic(T=100°C): 30A. Marcado del fabricante: G30N60HS. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 250W. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 122 ns. RoHS: sí. Spec info: Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT). Td(apagado): 106 ns. Td(encendido): 16 ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5V. Tensión de saturación VCE(sat): 2.9V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 5V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 16 ns. Tipo de canal: N. Unidad de acondicionamiento: 25. Vivienda (norma JEDEC): -. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Vivienda: TO-247. Producto original del fabricante: Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 10:40