Transistor IGBT SKW30N60HS

Transistor IGBT SKW30N60HS. Transistor IGBT. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor IGBT con diodo de rueda libre de alta velocidad incorporado. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-247. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: K30N60HS. Tensión colector-emisor Uce [V]: 600V. Corriente del colector Ic [A]: 41A. Corriente máxima del colector (A): 112A. Tiempo de encendido ton [nseg.]: 20 ns. Retardo de desconexión tf[nseg.]: 250 ns. Tensión de ruptura de puerta Ugs [V]: 5V. Disipación máxima Ptot [W]: 250W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 106 ns. Td(encendido): 16 ns. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.9V. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 3V. Producto original del fabricante Infineon Technologies. Cantidad en stock actualizada el 23/07/2025, 14:25.