Transistor IGBT STGW40NC60KD

Transistor IGBT STGW40NC60KD. Transistor IGBT. C(pulg): 2870pF. Costo): 295pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Diodo Trr (Mín.): 45 ns. Función: transistor IGBT con diodo de rueda libre de alta velocidad incorporado. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 70A. Ic (pulso): 220A. Ic(T=100°C): 38A. Marcado en la caja: GW20NC60KD. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 250W. RoHS: sí. Spec info: Very Fast PowerMESH™ IGBT. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 164 ns. Td(encendido): 46 ns. Vivienda: TO-247. Vivienda (según ficha técnica): TO-247AC. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 2.1V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.7V. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4.5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6.5V. Producto original del fabricante Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/05/2025, 01:25.