Transistor IGBT STGW60V60DF

Transistor IGBT STGW60V60DF. Transistor IGBT. C(pulg): 8000pF. Costo): 280pF. Diodo CE: sí. Tipo de canal: N. Acondicionamiento: tubo de plástico. Unidad de acondicionamiento: 30. Diodo Trr (Mín.): 74 ns. Diodo de germanio: NINCS. Corriente del colector: 80A. Ic (pulso): 240A. Ic(T=100°C): 60A. Marcado en la caja: GW60V60DF. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 375W. RoHS: sí. Spec info: Trench gate field-stop IGBT, V series. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Td(apagado): 216 ns. Td(encendido): 57 ns. Vivienda: TO-247. Temperatura de funcionamiento: -55...+175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 1.85V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 2.3V. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 5V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 7V. Producto original del fabricante Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/05/2025, 02:25.