Transistor MOSFET AP4506GEH. Cantidad por caja: 2. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Nota: Vdss 30V (N), -30V (P). Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 3.1W. RoHS: sí. Tecnología: N&P PowerTrench MOSFET. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tipo de canal: N-P. Vivienda (según ficha técnica): TO-252-4L ( DPAK ) ( SOT428 ). Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Producto original del fabricante: Advanced Power. Cantidad en stock actualizada el 13/12/2025, 00:34