Par de transistores MOSFET N-P

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Cantidad por caja: 2. Función: Rds-on 0.011 Ohms (Q1), 0.1016 Ohms (Q2). Marcado en la caja: 4502C. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.1W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: par de transistores MOSFET complementarios de canal N y canal P. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Cantidad por caja: 2. Función: 0.027R&0.049R (27 & 49m Ohms). Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Transistores MOSFET complementarios, canal N y canal P. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Cantidad por caja: 2. Función: 0.055R&0.019R (55 & 19m Ohms). Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Transistores MOSFET complementarios, canal N y canal P. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Cantidad por caja: 2. Función: 0.028R&0.035R (28 & 35m Ohms). Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Transistores MOSFET complementarios, canal N y canal P. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Cantidad por caja: 2. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Resistencia en encendido Rds activado: 28/35m Ohms. RoHS: sí. Spec info: sustituto de MOSFET. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistores MOSFET complementarios, canal N y canal P. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SOP-8

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Cantidad por caja: 2. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Resistencia en encendido Rds activado: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Transistores MOSFET complementarios, canal N y canal P, SCHOTTKY VDS=30V, IF=3A. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Cantidad por caja: 2. Tipo de transistor: MOSFET. Función: Modo de mejora complementaria FET. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Spec info: 0.025 Ohms & 0.042 Ohms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Cantidad por caja: 2. Función: Modo de mejora complementaria FET. Idss: 1...5uA. Nota: IDM--30Ap & 30Ap. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Spec info: 0.024 Ohms & 0.036 Ohms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Td(apagado): 16.2/4.8 ns. Td(encendido): 6.4 ns. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión puerta/fuente Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1.7V

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Cantidad por caja: 2. Función: Transistor MOSFET, Rds (ON) muy bajo. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Spec info: 0.024 Ohms & 0.048 Ohms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Cantidad por caja: 2. Función: Transistores MOSFET complementarios, canal N y canal P. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Spec info: 0.024 Ohm & 0.038 Ohm. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Cantidad por caja: 2. Función: Modo de mejora complementaria FET. Marcado en la caja: P605. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.8W. RoHS: sí. Spec info: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms (VGS=10V). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-8. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Cantidad por caja: 2. Función: Modo de mejora complementaria FET. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2.8W. RoHS: sí. Spec info: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms (VGS=10V). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-8. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Cantidad por caja: 2. Función: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.050 Ohms (Q2). Marcado en la caja: 4501GM. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: par de transistores MOSFET complementarios de canal N y canal P. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Cantidad por caja: 2. Nota: Rds-on 0.024 Ohms (N), 0.036 Ohms (P). Nota: ID(AV)--N--9A P--8A. Nota: Vdss 30V (N), -30V (P). Número de terminales: 4. Pd (disipación de potencia, máx.): 3.1W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: N&P PowerTrench MOSFET. Vivienda: D-PAK ( TO-252 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-252-4L ( DPAK ) ( SOT428 ). Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Cantidad por caja: 2. Función: par de transistores MOSFET complementarios de canal N y canal P. Nota: 0.025 Ohms & 0.040 Ohms. Número de terminales: 8:1. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: DIP-8. Vivienda: DIP

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Cantidad por caja: 2. Función: par de transistores MOSFET complementarios de canal N y canal P. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Spec info: 0.025 Ohms & 0.040 Ohms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Cantidad por caja: 2. Función: par de transistores MOSFET complementarios de canal N y canal P. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. RoHS: sí. Spec info: 0.028 Ohms & 0.042 Ohms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: *SMD TO-252-4L*. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Cantidad por caja: 2. Función: par de transistores MOSFET complementarios de canal N y canal P. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Spec info: 0.028 Ohms & 0.042 Ohms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Cantidad por caja: 4. Función: 2N-ch and 2P-ch POWER MOSFET. Número de terminales: 8:1. RoHS: sí. Spec info: Rds-on 0.033 Ohms / 0.055 Ohms. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Cantidad por caja: 2. Función: par de transistores MOSFET complementarios de canal N y canal P. Nota: Vds 30V & 30V. Nota: Id--8A/30Ap & 6A/20Ap. Nota: Rds-on 0.025 Ohms / 0.040 Ohms. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Modo de mejora DUAL MOSFET (canal N y P) . Vivienda: DIP. Vivienda (según ficha técnica): DIP-8. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Cantidad por caja: 2. Función: td(on) 7&10ns, td(off) 11&18ns. Nota: serigrafía/código SMD KNP. Marcado en la caja: KNP. Número de terminales: 6. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: Modo de mejora de par complementario MOSFET. Vivienda: SOT-363 ( SC-88 ). Vivienda (según ficha técnica): SOT-363

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Cantidad por caja: 2. Función: Rds-on 0.07 Ohms (Q1), 0.125 Ohms (Q2). Nota: serigrafía/código SMD 420. Marcado en la caja: 420. Número de terminales: 6. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.9W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: N&P PowerTrench MOSFET. Vivienda: TSOP. Vivienda (según ficha técnica): SUPERSOT-6

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Acondicionamiento: rollo. Unidad de acondicionamiento: 2500. Cantidad por caja: 2. Función: Rds-on 0.042 Ohms (Q1), 0.082 Ohms (Q2). Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Spec info: Transistor de canal N (Q1), transistor de canal P (Q2). Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: omplementary PowerTrench MOSFET. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C

Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Cantidad por caja: 2. Función: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.052 Ohms (Q2). Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: par de transistores MOSFET complementarios de canal N y canal P. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8

Transistor MOSFET. C(pulg): 760pF. Costo): 155pF. Tipo de canal: N-P. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 2. Función: Rds-on 0.026 Ohms (Q1), 0.051 Ohms (Q2). Protección G-S: NINCS. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 1uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: par de transistores MOSFET complementarios de canal N y canal P. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8