Transistor MOSFET FDS4559

Transistor MOSFET FDS4559. Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Acondicionamiento: rollo. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: omplementary PowerTrench MOSFET. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Cantidad por caja: 2. Función: Rds-on 0.042 Ohms (Q1), 0.082 Ohms (Q2). Unidad de acondicionamiento: 2500. Spec info: Transistor de canal N (Q1), transistor de canal P (Q2). Cantidad en stock actualizada el 19/04/2025, 18:25.