Componentes y equipos electrónicos, para empresas y particulares.
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Semiconductores Transistores Par de transistores MOSFET N-P

Transistor MOSFET FDS8958A

Transistor MOSFET FDS8958A
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1 - 4 0.94€ 1.14€
5 - 9 0.89€ 1.08€
10 - 24 0.86€ 1.04€
25 - 49 0.85€ 1.03€
50 - 99 0.83€ 1.00€
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Transistor MOSFET FDS8958A. Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Cantidad por caja: 2. Función: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.052 Ohms (Q2). Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: par de transistores MOSFET complementarios de canal N y canal P. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Producto original del fabricante Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 08/06/2025, 05:25.

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Transistor MOSFET. Tipo de canal: N-P. Cantidad por caja: 2. Nota: Rds-on 0.029 Ohms / 0.058 Ohms. Nota: ( = P23AF 4532 SMD ). Marcado en la caja: F7319. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: N&P-HEXFET Power MOSFET. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8
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FDS8958B

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Transistor MOSFET. C(pulg): 760pF. Costo): 155pF. Tipo de canal: N-P. Protección de la fuente de dr...
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Transistor MOSFET. C(pulg): 760pF. Costo): 155pF. Tipo de canal: N-P. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 2. Función: Rds-on 0.026 Ohms (Q1), 0.051 Ohms (Q2). Protección G-S: NINCS. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 1uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: par de transistores MOSFET complementarios de canal N y canal P. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8
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Transistor MOSFET. C(pulg): 760pF. Costo): 155pF. Tipo de canal: N-P. Protección de la fuente de drenaje: sí. Cantidad por caja: 2. Función: Rds-on 0.026 Ohms (Q1), 0.051 Ohms (Q2). Protección G-S: NINCS. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 1uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: par de transistores MOSFET complementarios de canal N y canal P. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8
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