Transistor MOSFET FDS8958B

Transistor MOSFET FDS8958B. Transistor MOSFET. C(pulg): 760pF. Costo): 155pF. Tipo de canal: N-P. IDss (mín.): 1uA. Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 1uA. RoHS: sí. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Tecnología: par de transistores MOSFET complementarios de canal N y canal P. Vivienda: SO. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Cantidad por caja: 2. Función: Rds-on 0.026 Ohms (Q1), 0.051 Ohms (Q2). Protección de la fuente de drenaje: sí. Protección G-S: NINCS. Cantidad en stock actualizada el 20/04/2025, 01:25.