Transistor MOSFET FDS8958B. C(pulg): 760pF. Cantidad por caja: 2. Costo): 155pF. Función: Rds-on 0.026 Ohms (Q1), 0.051 Ohms (Q2). IDss (mín.): 1uA. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 1uA. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Tecnología: par de transistores MOSFET complementarios de canal N y canal P. Tipo de canal: N-P. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Vivienda: SO. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 16:41