Transistor MOSFET HGTG30N60B3D. Diodo CE: no. Diodo de germanio: no. Función: Ic 30A @ 25°C, 25A @ 110°C, Icm 220A (pulsed). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 208W. RoHS: sí. Td(apagado): 137 ns. Td(encendido): 36ns. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión colector/emisor Vceo: 600V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.45V. Tensión puerta/emisor VGE(th) mín.: 4.2V. Tensión puerta/emisor VGE(th)máx.: 6V. Tensión puerta/emisor VGE: 20V. Tipo de canal: N-P. Vivienda (según ficha técnica): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Vivienda: TO-247. Producto original del fabricante: Fairchild. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 20:19