Transistor MOSFET IRF7309. Cantidad por caja: 2. DI (T=25°C): 4.7A & 3.5A. Función: 0.05R & 0.1R. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 1.4W. RoHS: sí. Tecnología: MOSFET de potencia HEXFET. Tipo de canal: N-P. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Vivienda: SO. Voltaje Vds(máx.): 30 v. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 18/12/2025, 19:08