Transistor MOSFET IRF7317. C(pulg): 780pF. Cantidad por caja: 2. Costo): 430pF. Diodo Trr (Mín.): 47 ns. Función: 0.029R & 0.58R. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Protección G-S: no. Protección de la fuente de drenaje: sí. RoHS: sí. Tecnología: N&P-HEXFET Power MOSFET. Tipo de canal: N-P. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Vivienda: SO. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 18/12/2025, 19:08