Transistor MOSFET IRF7343. Cantidad por caja: 2. Cargar: 24/26nC. Corriente de drenaje: 4.7/-3.4A. Función: par de transistores MOSFET complementarios de canal N y canal P. Montaje/instalación: componente montado en superficie (SMD). Número de terminales: 8:1. Pd (disipación de potencia, máx.): 2W. Polaridad: unipolares. Potencia: 2W. Resistencia térmica: 62.5K/W. RoHS: sí. Spec info: 0.043 Ohms & 0.095 Ohms. Tecnología: HEXFET®. Tipo de canal: N-P. Vivienda (según ficha técnica): SO-8. Vivienda: SO. Voltaje de fuente de drenaje: 55/-55V. Voltaje de fuente de puerta: 20V, ±20V. Producto original del fabricante: International Rectifier. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 07:43