Transistor NPN 2N3019-ST, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 80V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-39 ( TO-205 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-39. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Cantidad por caja: 1. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 100. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.8W. RoHS: sí. Tecnología: Transistor epitaxial plano. Temperatura: +175°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Velocidad: 7V. Producto original del fabricante: Stmicroelectronics. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 01:37