Transistores bipolares NPN

Transistor NPN, 5A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 800V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 800V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: TV-HA. Pd (disipación de potencia, máx.): 125W. Spec info: 0.3us. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 1500V

Transistor NPN, 500mA, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 50V. Corriente del colector: 500mA. Vivienda: TO-39 ( TO-205 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-39. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Diodo BE: NINCS. Costo): 25pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 70MHz. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 800mW. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 75V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1.3V. Velocidad: 7V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-39, 500mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-39. Corriente de colector Ic [A], máx.: 500mA. RoHS: NINCS. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-39. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2N1893. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 80V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 70 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.8W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-39, 800mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-39. Corriente de colector Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-39. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2N2219A. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 40V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 300 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.8W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +200°C

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-18, 600mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-18. Corriente de colector Ic [A], máx.: 600mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-18. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2N2222A. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 40V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 300 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.8W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C

Transistor NPN, 0.8A, TO-92, TO-92, 40V. Corriente del colector: 0.8A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Diodo BE: NINCS. C(pulg): 30pF. Costo): 8pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 250 MHz. Función: propósito general. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 35. Nota: transistor complementario (par) 2N2907A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 75V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-18, 800mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-18. Corriente de colector Ic [A], máx.: 800mA. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-18. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2N2222A. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 40V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 300 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.5W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +200°C

Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92 ( BULK Pack ), 40V. Corriente del colector: 0.6A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92 ( BULK Pack ). Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Unidad de acondicionamiento: 5000. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 300 MHz. Función: transistores amplificadores. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 35. Marcado en la caja: 2N2222A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625mW. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 25 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 75V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Velocidad: 6V

Transistor NPN, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 40V. Corriente del colector: 0.2A. Vivienda: TO-18 ( TO-206 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-18. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 500 MHz. Función: Transistor de conmutación. Ganancia máxima de hFE: 120. Ganancia mínima de hFE: 40. Ic (pulso): 0.5A. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.36W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 15 ns. Tf(mín.): 15 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -60...+200°C. Vcbo: 40V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V

Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 80V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-39 ( TO-205 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-39. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Diodo BE: NINCS. C(pulg): 60pF. Costo): 12pF. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Función: Conmutación de alta velocidad. Ganancia máxima de hFE: 100. Ganancia mínima de hFE: 50. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.8W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.2V. Velocidad: 7V

Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 80V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-39 ( TO-205 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-39. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 100 MHz. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 100. Número de terminales: 3. Temperatura: +175°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.8W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor epitaxial plano . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V. Velocidad: 7V

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 70V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 2.5 MHz. Función: Amplificador de Audio Lineal y Conmutado. Ganancia máxima de hFE: 70. Ganancia mínima de hFE: 20. Número de terminales: 2. Temperatura: +200°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 115W. Spec info: transistor complementario (par) MJ2955. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: tecnología plana de base epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 7V

Transistor NPN, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 70V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 70V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 2.5 MHz. Función: Amplificador de Audio Lineal y Conmutado. Ganancia máxima de hFE: 70. Ganancia mínima de hFE: 20. Número de terminales: 2. Temperatura: +200°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 115W. Spec info: transistor complementario (par) MJ2955. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: tecnología plana de base epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 7V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-3, 15A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3. Corriente de colector Ic [A], máx.: 15A. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor de potencia NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-204AA. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2N3055G. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 2.5 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 115W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +200°C

Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 350V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-39 ( TO-205 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-39. Tensión colector/emisor Vceo: 350V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 15 MHz. Función: S/VID. Ganancia máxima de hFE: 160. Ganancia mínima de hFE: 30. Número de terminales: 3. Temperatura: +200°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor NPN plano epitaxial . Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 450V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 7V

Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 250V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-39 ( TO-205 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-39. Tensión colector/emisor Vceo: 250V. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 15 MHz. Función: S/VID. Fecha de producción: 2014/06. Ganancia máxima de hFE: 160. Ganancia mínima de hFE: 40. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 5W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C. Vcbo: 300V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.5V. Velocidad: 7V

Transistor NPN, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 160V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 0.8 MHz. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 117W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 160V. Corriente del colector: 10A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 0.8 MHz. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 117W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN

Transistor NPN, 30A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 40V. Corriente del colector: 30A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 0.2 MHz. Ganancia máxima de hFE: 60. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 30A. Número de terminales: 2. Temperatura: +150°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V, 20A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Corriente del colector: 20A. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 0.2 MHz. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 160V. Corriente del colector: 16A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 160V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 0.2 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Vcbo: 140V

Transistor NPN, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 140V. Corriente del colector: 16A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3 ( TO-204 ). Tensión colector/emisor Vceo: 140V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 0.2 MHz. Ganancia máxima de hFE: 60. Ganancia mínima de hFE: 15. Ic (pulso): 30A. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C. Vcbo: 160V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.4V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 4 v. Velocidad: 7V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-3, 16A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3. Corriente de colector Ic [A], máx.: 16A. RoHS: sí. Vivienda (norma JEDEC): TO-204AA. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2N3773G. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 140V. Disipación máxima Ptot [W]: 150W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +200°C. Familia de componentes: transistor de potencia NPN

Transistor NPN, TO-92, TO-92, 40V, 100mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Corriente del colector: 100mA. RoHS: sí. Ic (pulso): 200mA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.5W. Spec info: hFE 100-300 (IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc). Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Construcción de matriz plana epitaxial . Tf(máx.): 75 ns. Tipo de transistor: NPN. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.25V. Velocidad: 5V. Diodo BE: NINCS. C(pulg): 8pF. Costo): 4pF. Diodo CE: NINCS. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 250 MHz. Función: Transistor de conmutación. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 100

Transistor NPN, TO-92, 200mA, soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Corriente de colector Ic [A], máx.: 200mA. Vivienda: soldadura de PCB. Marcado del fabricante: 2N3904. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 40V. Frecuencia de corte pies [MHz]: 300 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. RoHS: sí. Familia de componentes: transistor NPN. Vivienda (norma JEDEC): TO-226. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3