Transistor NPN 2N3906, TO-92, 40V, 200mA, 100mA, TO-92Ammo-Pack, 40V

Transistor NPN 2N3906, TO-92, 40V, 200mA, 100mA, TO-92Ammo-Pack, 40V

Cantidad
Precio unitario
10-49
0.0434€
50-99
0.0378€
100-199
0.0335€
200+
0.0282€
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Cantidad en inventario: 3161
Mín.: 10

Transistor NPN 2N3906, TO-92, 40V, 200mA, 100mA, TO-92Ammo-Pack, 40V. Vivienda: TO-92. Vivienda (norma JEDEC): -. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 40V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 200mA. Corriente del colector: 100mA. Vivienda (según ficha técnica): TO-92Ammo-Pack. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Cantidad por caja: 1. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente del colector Ic [A]: 0.2A. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Embalaje: Ammo Pack. FT: 250 MHz. Familia de componentes: transistor PNP. Frecuencia de corte pies [MHz]: 250 MHz. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 200mA. Marcado del fabricante: 2N3906. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. Polaridad: bipolar. Potencia: 0.625W. RoHS: sí. Tecnología: Transistor plano si-epitaxial. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de saturación VCE(sat): 0.25V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Velocidad: 5V. Voltaje (coleccionista - emisor): 40V. Producto original del fabricante: Diodes Inc. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 01:37

Documentación técnica (PDF)
2N3906
38 parámetros
Vivienda
TO-92
Tensión colector-emisor Uceo [V]
40V
Corriente de colector Ic [A], máx.
200mA
Corriente del colector
100mA
Vivienda (según ficha técnica)
TO-92Ammo-Pack
Tensión colector/emisor Vceo
40V
Cantidad por caja
1
Configuración
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Corriente del colector Ic [A]
0.2A
Diodo BE
no
Diodo CE
no
Disipación máxima Ptot [W]
0.625W
Embalaje
Ammo Pack
FT
250 MHz
Familia de componentes
transistor PNP
Frecuencia de corte pies [MHz]
250 MHz
Ganancia máxima de hFE
300
Ganancia mínima de hFE
100
Ic (pulso)
200mA
Marcado del fabricante
2N3906
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
0.625W
Polaridad
bipolar
Potencia
0.625W
RoHS
Tecnología
Transistor plano si-epitaxial
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Temperatura máxima
+150°C.
Tensión de saturación VCE(sat)
0.25V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
40V
Velocidad
5V
Voltaje (coleccionista - emisor)
40V
Producto original del fabricante
Diodes Inc
Cantidad mínima
10