transistores bipolares PNP

Transistor NPN, 5A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 100V. Corriente del colector: 5A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 100V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: GE. FT: 8 MHz. Función: S-L. Ganancia máxima de hFE: 140. Ganancia mínima de hFE: 60. Número de terminales: 2. Pd (disipación de potencia, máx.): 150W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 100V

Transistor NPN, 0.6A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 40V. Corriente del colector: 0.6A. Vivienda: TO-39 ( TO-205 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-39. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Función: Transistor de conmutación. Ganancia máxima de hFE: 120. Ganancia mínima de hFE: 20. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.6W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 200 ns. Tf(mín.): 175 ns. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V

Transistor NPN, 0.6A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Corriente del colector: 0.6A. Vivienda: TO-39 ( TO-205 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-39. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Función: Transistor de conmutación. Ganancia máxima de hFE: 120. Ganancia mínima de hFE: 40. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.6W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-39, TO-39, 60V, 600mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-39. Vivienda (norma JEDEC): TO-39. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 600mA. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2N2905A. Frecuencia de corte pies [MHz]: 200 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.6W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +175°C. Familia de componentes: transistor PNP

Transistor NPN, 0.6A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Corriente del colector: 0.6A. Vivienda: TO-39 ( TO-205 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-39. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Función: amplificador, transistor de conmutación. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 75. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.6W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V

Transistor NPN, 0.6A, 40V. Corriente del colector: 0.6A. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Función: propósito general. Nota: >40. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.4W. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-18, TO-18, 60V, 600mA, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 60V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-18. Vivienda (norma JEDEC): TO-18. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 60V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 600mA. Vivienda: TO-18 ( TO-206 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-18. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2N2907A. Frecuencia de corte pies [MHz]: 200 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.4W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +200°C. Familia de componentes: transistor PNP. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 400mW. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 100 ns. Tf(mín.): 30 ns. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 5V. Spec info: Amplificador VHF

Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92Ammo-Pack, 60V. Corriente del colector: 0.6A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92Ammo-Pack. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. C(pulg): 30pF. Costo): 8pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Función: Hfe 100. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 75. Ic (pulso): 0.8A. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.4W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.5A, 25V. Corriente del colector: 0.5A. Tensión colector/emisor Vceo: 25V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. Función: NF-S. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.3W. Tipo de transistor: PNP

Transistor NPN, TO-92, 100mA, TO-92Ammo-Pack, 40V. Vivienda: TO-92. Corriente del colector: 100mA. Vivienda (según ficha técnica): TO-92Ammo-Pack. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. RoHS: sí. Resistencia B: sí. Resistencia BE: soldadura de PCB. C(pulg): TO-92. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 250 MHz. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 100. Ic (pulso): 200mA. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tecnología: Transistor plano si-epitaxial. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.25V. Velocidad: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, TO-226AA, 40V, 200mA. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 40V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 200mA. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2N3906. Frecuencia de corte pies [MHz]: 250 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP

Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39 ( TO-5 ), 80V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-39 ( TO-205 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-39 ( TO-5 ). Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Costo): 20pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 150...500 MHz. Función: S. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 75. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.8W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 350 ns. Tf(mín.): 100 ns. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C. Vcbo: 80V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.15V. Velocidad: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, TO-92, 0.6A, TO-92Ammo Pack, 40V. Vivienda: TO-92. Corriente del colector: 0.6A. Vivienda (según ficha técnica): TO-92Ammo Pack. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. RoHS: sí. Resistencia B: sí. Resistencia BE: soldadura de PCB. C(pulg): 30pF. Costo): 8.5pF. Unidad de acondicionamiento: 2000. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 30. Ic (pulso): +150°C. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 30 ns. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.75V. Velocidad: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 0.6A, TO-92, TO-92, 40V. Corriente del colector: 0.6A. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. C(pulg): 30pF. Costo): 8.5pF. Unidad de acondicionamiento: 2000. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 200 MHz. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 30. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 30 ns. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Velocidad: 5V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, -50V, -50mA, TO-92. Voltaje colector-emisor VCEO: -50V. Corriente del colector: -50mA. Vivienda: TO-92. Tipo de transistor: transistor PNP. Polaridad: PNP. Frecuencia máxima: 40 MHz. Aplicaciones: Audio

Transistor NPN, 50mA, TO-92, TO-92, 50V. Corriente del colector: 50mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Costo): 4pF. ¿Transistor Darlington?: NINCS. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 40 MHz. Ganancia máxima de hFE: 800. Ganancia mínima de hFE: 250. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.3V. Velocidad: 3V. Función: preamplificador. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, TO-92, 150V. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-92. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 160V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 600mA. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. RoHS: sí. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2N5401. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -55°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +150°C. Familia de componentes: transistor PNP. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V. Velocidad: 5V. Spec info: 2N5401

Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 200V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-39 ( TO-205 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-39. Tensión colector/emisor Vceo: 200V. C(pulg): 75pF. Costo): 15pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 15 MHz. Ganancia máxima de hFE: 150. Ganancia mínima de hFE: 30. Número de terminales: 3. Temperatura: +200°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 1W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 200V. Tensión de saturación VCE(sat): 2.5V. Velocidad: 4 v. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 300V. Corriente del colector: 1A. Vivienda: TO-39 ( TO-205 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-39. Tensión colector/emisor Vceo: 300V. C(pulg): 75pF. Costo): 15pF. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 15 MHz. Función: Conmutación de Alta Velocidad y amplificador Lineal. Ganancia máxima de hFE: 120. Ganancia mínima de hFE: 30. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 10W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Tensión de saturación VCE(sat): 2V. Velocidad: 6V. Diodo BE: NINCS. Diodo CE: NINCS

Transistor NPN, 25A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 80V. Corriente del colector: 25A. Vivienda: TO-3 ( TO-204 ). Vivienda (según ficha técnica): TO-3. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 4 MHz. Ganancia máxima de hFE: 100. Ganancia mínima de hFE: 20. Ic (pulso): 50A. Número de terminales: 2. Temperatura: +200°C. Pd (disipación de potencia, máx.): 200W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tf(máx.): 0.8us. Tf(mín.): 0.8us. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 80V. Tensión de saturación VCE(sat): 1V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) 2N5886

Transistor NPN, 7A, 60V. Corriente del colector: 7A. Tensión colector/emisor Vceo: 60V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 10 MHz. Nota: hFE 20. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Spec info: TO-220AB

Transistor NPN, 2A, 225V. Corriente del colector: 2A. Tensión colector/emisor Vceo: 225V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 20 MHz. Pd (disipación de potencia, máx.): 35W. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 275V

Transistor NPN, soldadura de PCB, TO-3, TO-204AA, 100V, 20A. Vivienda: soldadura de PCB. Vivienda: TO-3. Vivienda (norma JEDEC): TO-204AA. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 100V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 20A. RoHS: sí. Familia de componentes: Transistor de potencia Darlington PNP. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Marcado del fabricante: 2N6287G. Disipación máxima Ptot [W]: 160W. Rango de temperatura de funcionamiento mín (°C): -65°C. Rango de temperatura de funcionamiento máx (°C): +200°C

Transistor NPN, 4A, TO-66, TO-66, 120V. Corriente del colector: 4A. Vivienda: TO-66. Vivienda (según ficha técnica): TO-66. Tensión colector/emisor Vceo: 120V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 5 MHz. Ganancia máxima de hFE: 150. Ganancia mínima de hFE: 15. Pd (disipación de potencia, máx.): 40W. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+200°C. Vcbo: 130V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.2V. Velocidad: 5V

Transistor NPN, 15A, TO-220, TO-220, 80V. Corriente del colector: 15A. Vivienda: TO-220. Vivienda (según ficha técnica): TO-220. Tensión colector/emisor Vceo: 80V. Cantidad por caja: 1. Material semiconductor: silicio. FT: 5 MHz. Ganancia máxima de hFE: 150. Ganancia mínima de hFE: 20. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 75W. RoHS: sí. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Tipo de transistor: PNP. Temperatura de funcionamiento: -65...+150°C. Vcbo: 90V. Tensión de saturación VCE(sat): 1.3V. Velocidad: 5V. Spec info: transistor complementario (par) 2N6488