Transistor NPN 2N4403, TO-92, TO-226, 40V, 600mA, 0.6A, TO-92Ammo Pack, 40V

Transistor NPN 2N4403, TO-92, TO-226, 40V, 600mA, 0.6A, TO-92Ammo Pack, 40V

Cantidad
Precio unitario
10-49
0.0603€
50-99
0.0522€
100-199
0.0458€
200+
0.0384€
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Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 1264
Mín.: 10

Transistor NPN 2N4403, TO-92, TO-226, 40V, 600mA, 0.6A, TO-92Ammo Pack, 40V. Vivienda: TO-92. Vivienda (norma JEDEC): TO-226. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 40V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 600mA. Corriente del colector: 0.6A. Vivienda (según ficha técnica): TO-92Ammo Pack. Tensión colector/emisor Vceo: 40V. Acondicionamiento: Ammo Pack. C(pulg): 30pF. Cantidad por caja: 1. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente del colector Ic [A]: 600mA. Costo): 8.5pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. FT: 200 MHz. Familia de componentes: transistor PNP. Frecuencia de corte pies [MHz]: 200 MHz. Frecuencia: 200MHz. Ganancia máxima de hFE: 300. Ganancia mínima de hFE: 30. Marcado del fabricante: 2N4403. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. Polaridad: bipolar. Potencia: 0.625W. RoHS: sí. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de saturación VCE(sat): 0.4V. Tensión máxima de saturación VCE(sat): 0.75V. Tf(máx.): 30 ns. Tipo de transistor: PNP. Unidad de acondicionamiento: 2000. Vcbo: 40V. Velocidad: 5V. Voltaje (coleccionista - emisor): 40V. Producto original del fabricante: Diotec Semiconductor. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 01:37

Documentación técnica (PDF)
2N4403
43 parámetros
Vivienda
TO-92
Vivienda (norma JEDEC)
TO-226
Tensión colector-emisor Uceo [V]
40V
Corriente de colector Ic [A], máx.
600mA
Corriente del colector
0.6A
Vivienda (según ficha técnica)
TO-92Ammo Pack
Tensión colector/emisor Vceo
40V
Acondicionamiento
Ammo Pack
C(pulg)
30pF
Cantidad por caja
1
Configuración
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Corriente del colector Ic [A]
600mA
Costo)
8.5pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
Disipación máxima Ptot [W]
0.625W
FT
200 MHz
Familia de componentes
transistor PNP
Frecuencia de corte pies [MHz]
200 MHz
Frecuencia
200MHz
Ganancia máxima de hFE
300
Ganancia mínima de hFE
30
Marcado del fabricante
2N4403
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
0.625W
Polaridad
bipolar
Potencia
0.625W
RoHS
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Temperatura máxima
+150°C.
Tensión de saturación VCE(sat)
0.4V
Tensión máxima de saturación VCE(sat)
0.75V
Tf(máx.)
30 ns
Tipo de transistor
PNP
Unidad de acondicionamiento
2000
Vcbo
40V
Velocidad
5V
Voltaje (coleccionista - emisor)
40V
Producto original del fabricante
Diotec Semiconductor
Cantidad mínima
10

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