Transistor NPN 2N5401, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, 0.6A, TO-92, 150V

Transistor NPN 2N5401, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, 0.6A, TO-92, 150V

Cantidad
Precio unitario
10-49
0.0712€
50-99
0.0628€
100-199
0.0558€
200+
0.0464€
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Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 2021
Mín.: 10

Transistor NPN 2N5401, TO-92, TO-226AA, 160V, 600mA, 0.6A, TO-92, 150V. Vivienda: TO-92. Vivienda (norma JEDEC): TO-226AA. Tensión colector-emisor Uceo [V]: 160V. Corriente de colector Ic [A], máx.: 600mA. Corriente del colector: 0.6A. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 150V. Acondicionamiento: Ammo Pack. Cantidad por caja: 1. Configuración: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Corriente del colector Ic [A]: 600mA. Costo): 6pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. Disipación máxima Ptot [W]: 0.625W. FT: 100 MHz. Familia de componentes: transistor PNP. Frecuencia de corte pies [MHz]: 100 MHz. Frecuencia: 400MHz. Ganancia máxima de hFE: 240. Ganancia mínima de hFE: 50. Ganar hfe: 240. Marcado del fabricante: 2N5401. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. Polaridad: bipolar. Potencia: 0.625W. RoHS: sí. Spec info: 2N5401. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Temperatura máxima: +150°C.. Tensión de saturación VCE(sat): 0.2V. Tipo de transistor: PNP. Vcbo: 160V. Velocidad: 5V. Voltaje (coleccionista - emisor): 150V. Producto original del fabricante: Diotec Semiconductor. Cantidad mínima: 10. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 01:37

Documentación técnica (PDF)
2N5401
41 parámetros
Vivienda
TO-92
Vivienda (norma JEDEC)
TO-226AA
Tensión colector-emisor Uceo [V]
160V
Corriente de colector Ic [A], máx.
600mA
Corriente del colector
0.6A
Vivienda (según ficha técnica)
TO-92
Tensión colector/emisor Vceo
150V
Acondicionamiento
Ammo Pack
Cantidad por caja
1
Configuración
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Corriente del colector Ic [A]
600mA
Costo)
6pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
Disipación máxima Ptot [W]
0.625W
FT
100 MHz
Familia de componentes
transistor PNP
Frecuencia de corte pies [MHz]
100 MHz
Frecuencia
400MHz
Ganancia máxima de hFE
240
Ganancia mínima de hFE
50
Ganar hfe
240
Marcado del fabricante
2N5401
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
0.625W
Polaridad
bipolar
Potencia
0.625W
RoHS
Spec info
2N5401
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Temperatura máxima
+150°C.
Tensión de saturación VCE(sat)
0.2V
Tipo de transistor
PNP
Vcbo
160V
Velocidad
5V
Voltaje (coleccionista - emisor)
150V
Producto original del fabricante
Diotec Semiconductor
Cantidad mínima
10

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