Transistor NPN 2N5210, 100mA, TO-92, TO-92, 50V

Transistor NPN 2N5210, 100mA, TO-92, TO-92, 50V

Cantidad
Precio unitario
1-4
0.31€
5-49
0.26€
50-99
0.23€
100-199
0.20€
200+
0.16€
Equivalencia disponible
Cantidad en inventario: 164

Transistor NPN 2N5210, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Corriente del colector: 100mA. Vivienda: TO-92. Vivienda (según ficha técnica): TO-92. Tensión colector/emisor Vceo: 50V. Acondicionamiento: -. Cantidad por caja: 1. Costo): 4pF. Diodo BE: no. Diodo CE: no. FT: 30 MHz. Función: Preamplificador HI-FI de bajo ruido. Ganancia máxima de hFE: 600. Ganancia mínima de hFE: 200. Material semiconductor: silicio. Montaje/instalación: Montaje mediante orificio pasante en PCB. Número de terminales: 3. Pd (disipación de potencia, máx.): 0.625W. RoHS: sí. Temperatura de funcionamiento: -55...+150°C. Tensión de saturación VCE(sat): 0.7V. Tipo de transistor: NPN. Unidad de acondicionamiento: 2000. Vcbo: 50V. Velocidad: 4.5V. Producto original del fabricante: ON Semiconductor. Cantidad en stock actualizada el 13/11/2025, 01:37

Documentación técnica (PDF)
2N5210
24 parámetros
Corriente del colector
100mA
Vivienda
TO-92
Vivienda (según ficha técnica)
TO-92
Tensión colector/emisor Vceo
50V
Cantidad por caja
1
Costo)
4pF
Diodo BE
no
Diodo CE
no
FT
30 MHz
Función
Preamplificador HI-FI de bajo ruido
Ganancia máxima de hFE
600
Ganancia mínima de hFE
200
Material semiconductor
silicio
Montaje/instalación
Montaje mediante orificio pasante en PCB
Número de terminales
3
Pd (disipación de potencia, máx.)
0.625W
RoHS
Temperatura de funcionamiento
-55...+150°C
Tensión de saturación VCE(sat)
0.7V
Tipo de transistor
NPN
Unidad de acondicionamiento
2000
Vcbo
50V
Velocidad
4.5V
Producto original del fabricante
ON Semiconductor

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